谷歌研究人员发布 几天前 一种名为“Half-Double”的新 RowHammer 攻击技术该 改变动态内存的各个位的内容 随机存取 (DRAM)。 这种攻击在一些现代 DRAM 芯片中重现，其制造商已设法减少单元的几何形状。
对于那些不知道 RowHammer 是哪种攻击的人，您应该知道它允许扭曲 RAM 单个位的内容 从相邻的存储单元中循环读取数据。
由于 DRAM 是一个二维单元阵列，每个单元由一个电容器和一个晶体管组成，在同一存储区中连续读取会导致电压波动和异常，从而导致相邻单元中的少量电荷损失。 如果读取强度足够高，那么相邻单元格可能会失去足够多的电荷，下一次再生循环将没有时间恢复其原始状态，这将导致存储数据的值发生变化。
为了防止 RowHammer，芯片制造商实施了 TRR 机制 （目标行刷新），可防止相邻行中的单元格失真。
随着 DDR4 被广泛采用，Rowhammer 似乎已经褪色，部分原因是这些内置的防御机制。 然而，在 2020 年，TRRespass 文件展示了如何通过分发访问进行逆向工程和中和防御，证明 Rowhammer 的技术仍然可行。 今年早些时候，SMASH 研究更进一步，展示了 JavaScript 的利用，而无需调用缓存管理原语或系统调用。
谷歌研究人员提到，传统上，RowHammer 被理解为在一行的距离处运行：当重复访问一行 DRAM（“攻击者”）时，仅在相邻的两行（“受害者”）中发现位变化.
但随着一些 RowHammer 攻击变种的出现，情况发生了变化，这是因为问题在于 没有统一的方法来实施TRR 每个制造商都以自己的方式解释 TRR，使用他们自己的保护选项，并且不公开实施细节。
半双方法证明了这一点，该方法允许通过操纵这些保护来避免这些保护，从而使失真不限于相邻的行并传播到其他内存行，尽管程度较小。
谷歌工程师 已经表明：
对于顺序存储器线“A”、“B 和 C”，可以通过对线“A”的非常密集的访问和对线“B”的影响很小的活动来攻击线“C”。 在攻击期间访问线 «B» 会激活非线性负载流失，并允许使用绳索»B «作为传输将绳索的 Rowhammer 效应转化为»A «到»C «。
与处理各种实现中的缺陷的 TRRespass 攻击不同 细胞畸变预防机制，攻击 Half-Double 是基于硅衬底的物理特性。 Half-Double 表明电荷泄漏导致 RowHammer 的可能影响是距离相关的，而不是直接的细胞粘附。
随着现代芯片中单元几何形状的减小，畸变的影响半径也增加了，因此有可能在超过两条线的距离处观察到这种影响。 据观察，与 JEDEC 协会一起，已经制定了一些提案来分析阻止此类攻击的可能方法。
该方法已被揭示，因为 谷歌认为，这项研究显着拓宽了对 Rowhammer 现象的理解 并强调将研究人员、芯片制造商和其他利益相关者聚集在一起以开发全面、长期的安全解决方案的重要性。
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