গুগল গবেষকরা প্রকাশ করেছেন কয়েক দিন আগে "হাফ-ডাবল" নামে একটি নতুন রো হ্যামার আক্রমণ কৌশল, Que গতিশীল মেমরির পৃথক বিটের সামগ্রীকে পরিবর্তিত করে র্যান্ডম অ্যাক্সেস (DRAM) AM আক্রমণটি কিছু আধুনিক ডিআরএএম চিপগুলিতে পুনরুত্পাদন করা হয়, যার নির্মাতারা ঘরের জ্যামিতি হ্রাস করতে সক্ষম হয়েছেন।
যারা রোহ্যামার আক্রমণাত্মক ধরণের ঘটনা জানেন না তাদের জন্য আপনার জানা উচিত যে এটি র্যামের পৃথক বিটের সামগ্রী বিকৃত করার অনুমতি দেয় চক্রাকারে প্রতিবেশী মেমরি কোষ থেকে ডেটা পড়া।
যেহেতু ডিআরএএম কোষের একটি দ্বি-মাত্রিক অ্যারে, যার প্রতিটি ক্যাপাসিটর এবং ট্রানজিস্টর নিয়ে গঠিত, একই মেমরি অঞ্চলে অবিচ্ছিন্নভাবে পড়া গ্রহণের ফলে ভোল্টেজের ওঠানামা এবং ব্যাহত হয়, যার ফলে চার্জের অল্প ক্ষতি হয় neighboring প্রতিবেশী কোষগুলিতে। যদি পাঠের তীব্রতা যথেষ্ট পরিমাণে বেশি থাকে তবে প্রতিবেশী সেলটি প্রচুর পরিমাণে চার্জ হারাতে পারে এবং পরবর্তী পুনরুত্থানের চক্রটি তার মূল অবস্থাটি পুনরুদ্ধার করতে সময় পাবে না, যা সঞ্চিত তথ্যের মান পরিবর্তন করতে পারে।
রো হ্যামার থেকে রক্ষার জন্য, চিপমেকাররা টিআরআর প্রক্রিয়া প্রয়োগ করেছে (লক্ষ্য সারি রিফ্রেশ), যা সংলগ্ন সারিগুলিতে ঘরগুলির বিকৃতি থেকে রক্ষা করে।
ডিডিআর 4 যখন ব্যাপকভাবে গৃহীত হয়েছিল, তখন মনে হয়েছিল যে রোহামার এই অন্তর্নির্মিত প্রতিরক্ষা ব্যবস্থাগুলির একটি অংশের জন্য ধন্যবাদকে ম্লান করে দিয়েছেন। তবে, ২০২০ সালে, টিআরআরপাস নথিতে অ্যাক্সেস বিতরণ করে কীভাবে প্রকৌশলীকে বিপরীত করা এবং প্রতিরক্ষাটিকে নিরপেক্ষ করা যায় তা দেখিয়েছিল যে রোহমারের কৌশলগুলি এখনও কার্যকর আছে। এই বছরের শুরুর দিকে, এসএমএএসএইচ গবেষণা আরও এক ধাপ এগিয়ে যায় এবং ক্যাশে পরিচালন আদিম বা সিস্টেম কলগুলি না করে জাভাস্ক্রিপ্টের শোষণ প্রদর্শন করেছিল।
গুগল গবেষকরা উল্লেখ করেছেন যে traditionতিহ্যগতভাবে, রো-হ্যামারকে এক সারির দূরত্বে পরিচালনা করতে বোঝা হত: যখন ডিআরএএম-এর একটি সারি বারবার অ্যাক্সেস করা হয় ("আক্রমণকারী"), তখন বিট পরিবর্তনগুলি কেবল দুটি সংলগ্ন সারিগুলিতেই পাওয়া যায় ("ভিকটিমস") ।
তবে এটি কিছু রোহ্যামার আক্রমণের বৈকল্পিকগুলি উপস্থিত হওয়ার সাথে সাথে পরিবর্তিত হয়েছে এবং সমস্যাটি হ'ল এটি টিআরআর বাস্তবায়নের জন্য একীভূত পদ্ধতি নেই এবং প্রতিটি প্রস্তুতকারক নিজস্ব সুরক্ষা বিকল্পগুলি ব্যবহার করে এবং প্রয়োগের বিশদটি প্রকাশ না করে টিআরআরকে তাদের নিজস্ব উপায়ে ব্যাখ্যা করে।
এবং এটি হাফ-ডাবল পদ্ধতি দ্বারা প্রদর্শিত হয় যা এই সুরক্ষাগুলিকে হেরফের করে এড়াতে দেয় যাতে বিকৃতিটি সংলগ্ন রেখাগুলিতে সীমাবদ্ধ না হয় এবং অন্যান্য স্মৃতি লাইনে ছড়িয়ে যায়, যদিও কিছুটা কম।
গুগল ইঞ্জিনিয়াররা যে দেখিয়েছেন:
ধারাবাহিক মেমরি লাইন "এ", "বি এবং সি" এর জন্য, "এ" লাইনটিতে খুব তীব্র অ্যাক্সেস এবং "বি" রেখাটিকে প্রভাবিতকারী সামান্য ক্রিয়াকলাপের সাহায্যে লাইন "সি" আক্রমণ করা সম্ভব। আক্রমণ চলাকালীন লাইন «বি» to এ অ্যাক্সেস, একটি অ-রৈখিক লোড ড্রেন সক্রিয় করে এবং দড়ি »এ» থেকে «সি» এর রোহ্যামার প্রভাব অনুবাদ করার জন্য দড়ি »বি of ব্যবহারের অনুমতি দেয়«
টিআরআরস্পাস আক্রমণ থেকে ভিন্ন, যা বিভিন্ন বাস্তবায়নে ত্রুটিগুলি পরিচালনা করে সেলুলার বিকৃতি প্রতিরোধ ব্যবস্থা, আক্রমণ অর্ধ-ডাবল সিলিকন সাবস্ট্রেটের শারীরিক বৈশিষ্ট্যের উপর ভিত্তি করে। হাফ-ডাবল দেখায় যে চার্জ ফাঁসের সম্ভাব্য প্রভাবগুলি সরাসরি সেল আনুগত্যের চেয়ে দূরত্ব নির্ভর করে ow
আধুনিক চিপসে কোষের জ্যামিতি হ্রাসের সাথে, বিকৃতির প্রভাবের ব্যাসার্ধও বৃদ্ধি পায়, সুতরাং এটি সম্ভবত দুটি লাইনের বেশি দূরত্বে প্রভাবটি লক্ষ্য করা যায়। দেখা যায় যে, জেইডিসি অ্যাসোসিয়েশনের সাথে একসাথে এই ধরণের আক্রমণ বন্ধ করার সম্ভাব্য উপায়গুলি বিশ্লেষণ করার জন্য বেশ কয়েকটি প্রস্তাব তৈরি করা হয়েছে।
পদ্ধতিটি প্রকাশিত হয়েছে কারণ গুগল বিশ্বাস করে যে সমীক্ষাটি সম্পাদিত হয়েছে তা রোহামার ঘটনাটির বোঝাপড়াটি উল্লেখযোগ্যভাবে প্রসারিত করে এবং একটি দীর্ঘ, দীর্ঘমেয়াদী সুরক্ষা সমাধান বিকাশের জন্য গবেষক, চিপমেকার এবং অন্যান্য স্টেকহোল্ডারদের একত্রিত করার গুরুত্বের উপর জোর দেয়।
পরিশেষে আপনি যদি এটি সম্পর্কে আরও জানতে আগ্রহী হন, আপনি বিশদ পরীক্ষা করতে পারেন নীচের লিঙ্কে।